个人简介
惠亚娟，博士，新加坡国立大学博士后，硕士生导师，2019年加入自动化学院，入选中国地质大学（武汉）地大学者-青年优秀人才计划，IEEE/自动化学会/磁性材料与器件专家委员会委员。
2015年10月获华中科技大学微电子学与固体电子学专业博士学位，导师：缪向水教授
2015年11月-2016年10月武汉光电国家研究中心博士后，合作导师：谢长生教授、缪向水教授
2016年11月-2018年12月National University of Singapore, Research Fellow，合作导师: 陈景升教授
研究方向：新原理信息器件，存储计算融合电路与系统，类脑智能计算芯片设计
面向后摩尔时代信息技术的应用需求，聚焦微纳电子器件及集成电路中的关键科学问题和技术难点，研制自旋传感器、忆阻器、磁电耦合器件等多功能微电子器件，研究其物理工作机制和性能调控方法，开发其高灵敏度传感器（High Sensitivity Sensor）、低功耗非易失性信息存储（Nonvolatile Memory）、类脑神经形态计算（Brain-Inspired Neuromorphic Computing）等新兴功能及应用，发展低功耗智能化信息处理系统。
学生培养及工作理念：
Diligence（勤勉）、Collaboration（合作）、Innovation（创新）。
欢迎具有电子电路、半导体、物理相关学业背景的积极、乐观、进取的学生报考研究生。
欢迎在以下任一专业方向具有良好基础的学生：
数字/模拟电路、人工智能、微纳电子器件工艺表征、半导体制造等。
欢迎能熟练使用Matlab，Python，SPICE等各类数值计算、电路设计、编程软件的学生。
热烈欢迎学有余力的优秀本科生加入团队参与科学研究。
科研项目：
△国家自然科学基金青年项目，基于重金属掺杂的自旋霍尔磁电阻特性及其传感器件研究，2022.11-2024.12，主持
△中国科学院全国重点实验室开放基金项目，基于自旋电子器件的非易失逻辑运算及神经形态计算研究，2019.11-2021.10，主持
△省重点实验室开放基金项目，基于自旋轨道转矩的磁存储器件忆阻特性研究，2020.01-2021.12，主持
△湖北省科技重大专项项目，三维代码型闪存关键技术和产品开发，2020.09-2023.06，参与
△NRF Competitive Research Programme (CRP), Singapore, 低功耗信息存储技术：电场控制磁存储，2015.01-2018.12，参与
△国家自然科学基金重点项目，光致磁变超高密度硬盘新原理与新技术研究，2015.01-2019.12，参与
代表性学术成果：
[1] Hui Y.J., Li Q.Z, Liu C., Zhang D.M., Miao X.S., Logic-in-memory based on majority gates with voltage-gated SOT-MRAM crossbar arrays, IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs (电路与系统领域), 2024, 71(4): 2309-2313.
[2] Hui Y.J., Li Q.Z, Wang L.M., Liu C., Zhang D.M., Miao X.S., In-memory Wallace tree multipliers based on majority gates within voltage-gated SOT-MRAM crossbar arrays, IEEE Transactions on Very Large Scale Integration Systems (电路与系统领域), 2024, 32(3), 497-504.
[3] Hui Y.J., Xie F., Lin W.N., Wu L., Dong K.F., Yuan J.H., Miao X.S., Spin Hall magnetoresistance in 2D PtSe2/ferromagnet heterostructures, Journal of Applied Physcis (应用物理领域), 2023, 134: 223902.
[4] Hui Y.J., Jiang H., Xie F., Lin W.N., Dong C., Dong K.F., Miao X.S., Maximizing spin Hall magnetoresistance in heavy metal/crystalline metallic ferromagnet multilayers with opposite spin Hall angles, Nanoscale (纳米科学与技术领域), 2023, 15(2): 820-827.
[5] Hui Y.J., Lu J., Jiang H., Lin W.N., Dong C., Dong K.F., He Q., Miao X.S., Perpendicular antiferromagnetic ordering and canted spins in van der Waals FePS3 probed by spin Hall magnetoresistance, Journal of Physics D: Applied Physics (应用物理领域), 2023, 56(7), 075001.
[6] Hui Y.J., Lin W.N., Xie Q.D., Chen S.H, Miao X.S., Chen J.S., Magnetoelectric effect of epitaxial Cr2O3 thin films with a conducting underlayer electrode. Journal of Physics D: Applied Physics (应用物理领域), 2019, 52: 24LT03.
[7] Hui Y.J., Cheng W.M., Zhang Z.B., Wang H.W., Xie C.S., Miao X.S., Transport mechanism of the magnetoresistance effects in Ta/CoFe2O4 nanostructures, Applied Physics Letters (应用物理领域), 2017, 110(19): 192404.
[8] Hui Y.J., Cheng W.M., Zhang Z.B., Ji H.K., Cheng X.M., You L., Miao X.S., Spin Hall magnetoresistance in Ta/CoFe2O4 nanostructures, Applied Physics Express (应用物理领域), 2016, 9(7): 0730061.
[9] Hui Y.J., Cheng W.M., Yan P., Chen J.C., Miao X.S. Thickness dependence of perpendicular magnetic properties in La-Co pair substituted strontium ferrite films. Journal of Magnetism and Magnetic Materials (应用磁学领域), 2015, 390:56-60.
[10] Hui Y.J., Cheng W.M., Lin G.Q., Miao X.S. La-Co pair substituted strontium ferrite films with perpendicular magnetization. IEEE Transactions on Magnetics (应用磁学领域), 2014, 50(7): 2800904.
[11] 惠亚娟, 李青朕, 王雷敏, 刘成, 基于电压调控自旋轨道矩器件多数决定逻辑门的存内华莱士树乘法器设计[J].电子与信息学报, 2024，46(1):1-7.
讲授课程
本科生：《人工智能基础》、《人工智能概论》、《计量误差理论》
研究生：《人工智能前沿技术》
社会兼职
-
[1] IEEE/自动化学会/磁性材料与器件专家委员会委员/教育部学位中心论文评审专家